Les transistors prennent du relief
Uloženo v:
| Vydáno v: | Sciences et avenir No 795 |
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| Hlavní autor: | |
| Médium: | Article de revue |
| Vydáno: |
2013.
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| Témata: | |
| Shrnutí: | La miniaturisation ayant atteint ses limites, des chercheurs français ont imaginé des transistors en 3D qui s'affranchissent des phénomènes parasites. |
| Příbuzné jednotky: | Obsaženo v:
Sciences et avenir |