Les transistors prennent du relief
Đã lưu trong:
| Xuất bản năm: | Sciences et avenir No 795 |
|---|---|
| Tác giả chính: | |
| Định dạng: | Article de revue |
| Được phát hành: |
2013.
|
| Những chủ đề: | |
| Tóm tắt: | La miniaturisation ayant atteint ses limites, des chercheurs français ont imaginé des transistors en 3D qui s'affranchissent des phénomènes parasites. |
| Các quyển sách có liên quan: | Chứa trong:
Sciences et avenir |