Les transistors prennent du relief
Enregistré dans:
| 发表在: | Sciences et avenir No 795 |
|---|---|
| 主要作者: | |
| 格式: | Article de revue |
| 出版: |
2013.
|
| 主题: | |
| 总结: | La miniaturisation ayant atteint ses limites, des chercheurs français ont imaginé des transistors en 3D qui s'affranchissent des phénomènes parasites. |
| 相关项目: | 包含:
Sciences et avenir |