Les transistors prennent du relief
Enregistré dans:
| 發表在: | Sciences et avenir No 795 |
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| 主要作者: | |
| 格式: | Article de revue |
| 出版: |
2013.
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| 主題: | |
| 總結: | La miniaturisation ayant atteint ses limites, des chercheurs français ont imaginé des transistors en 3D qui s'affranchissent des phénomènes parasites. |
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Sciences et avenir |