Les transistors prennent du relief
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| Опубликовано в: : | Sciences et avenir No 795 |
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| Главный автор: | |
| Формат: | Article de revue |
| Опубликовано: |
2013.
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| Предметы: | |
| Итог: | La miniaturisation ayant atteint ses limites, des chercheurs français ont imaginé des transistors en 3D qui s'affranchissent des phénomènes parasites. |
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Sciences et avenir |