Les transistors prennent du relief
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| Publicado no: | Sciences et avenir No 795 |
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| Autor principal: | |
| Formato: | Article de revue |
| Publicado em: |
2013.
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| Assuntos: | |
| Resumo: | La miniaturisation ayant atteint ses limites, des chercheurs français ont imaginé des transistors en 3D qui s'affranchissent des phénomènes parasites. |
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Sciences et avenir |