Les transistors prennent du relief
Zapisane w:
| Wydane w: | Sciences et avenir No 795 |
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| 1. autor: | |
| Format: | Article de revue |
| Wydane: |
2013.
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| Hasła przedmiotowe: | |
| Streszczenie: | La miniaturisation ayant atteint ses limites, des chercheurs français ont imaginé des transistors en 3D qui s'affranchissent des phénomènes parasites. |
| Podobne zapisy: | Zawarte w:
Sciences et avenir |