Les transistors prennent du relief
שמור ב:
| הוצא לאור ב: | Sciences et avenir No 795 |
|---|---|
| מחבר ראשי: | |
| פורמט: | Article de revue |
| יצא לאור: |
2013.
|
| נושאים: | |
| סיכום: | La miniaturisation ayant atteint ses limites, des chercheurs français ont imaginé des transistors en 3D qui s'affranchissent des phénomènes parasites. |
| פריטים קשורים: | מוכל ב:
Sciences et avenir |