Les transistors prennent du relief
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Sciences et avenir No 795 |
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| 1. Verfasser: | |
| Format: | Article de revue |
| Veröffentlicht: |
2013.
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| Schlagworte: | |
| Zusammenfassung: | La miniaturisation ayant atteint ses limites, des chercheurs français ont imaginé des transistors en 3D qui s'affranchissent des phénomènes parasites. |
| Ähnliche Datensätze: | Enthalten in:
Sciences et avenir |