Les transistors prennent du relief
Guardat en:
| Publicat a: | Sciences et avenir No 795 |
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| Autor principal: | |
| Format: | Article de revue |
| Publicat: |
2013.
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| Matèries: | |
| Sumari: | La miniaturisation ayant atteint ses limites, des chercheurs français ont imaginé des transistors en 3D qui s'affranchissent des phénomènes parasites. |
| Publicació relacionada: | Contingut a:
Sciences et avenir |